|
 SSI, MSI, LSI
 ابتدائي ترين نسل IC ها شامل ترانزيستورهاي بسيار كمي بودند كه (SSI(1 ناميده شدند. آنها در مداراتي استفاده مي شدندكه شامل تعداد ترانزيستورهاي در حدود عدد 10 بودند.
گام بعدي در توسعه مدارات مجتمع در دهه 1980 اتفاق افتاد. وسايلي پديد آمدند كه در آنها از صدها ترانزيستور در يك چيپ استفاده مي شد كه به آنها (MSI(2 مي گويند. آنها از نظر اقتصادي نيز جذاب بودند زيرا هزينه آنها بسيار كمتر از SSI ها بود. آنها موجب مي شدند تا سيستم هاي پيچيده تر با بردهاي مداري كوچك تر ساخته شوند و كار سر هم كردن آنها بدليل كمتر بودن اجزاي گسسته كمتر شده و مزاياي ديگري نيز به مدار افزوده شود.
توسعه بعدي كه با فاكتور اقتصادي مشابهي نظير MSI همراه بود منجر به ساخت (LSI(3 ها در دهه 1970 گرديد كه از دهها هزار ترانزيستور در يك چيپ ساخته شده بودند.
مدارات مجتمعي همچون RAM هاي يك كيلو بيتي، چيپ هاي ماشين حساب و اولين ميكروپروسسورها كه در اوايل دهه 1970 به تعداد كمي ساخته مي شدند، زير 4000 ترانزيستور داشتند. مدارات LSI نزديك به 10,000 ترانزيستور در حدود سال 1974 براي حافظه هاي مركزي كامپيوتر ها و ميكروپروسسورهاي نسل دوم ساخته شدند .
VLSI
اتصالات لايه فوقاني ميكروپروسسور
Intel 80486DX2
قدم نهائي روند پيشرفت در دهه 1980 آغاز گرديد و تاكنون ادامه دارد، اين قدم (VLSI(4 بود. مي توان اين گونه گفت كه اين قدم از صدها هزار ترانزيستور در دهه 1980 به صدها ميليون ترانزيستور در سال 2007 رسيده است.
هيچ يافته اي نبود كه به تنهائي باعث اين افزايش در پيچيدگي شود، هر چند فاكتورهاي بسياري كمك مي كردند. حركت ساخت و ساز IC ها با قوانين كوچكتر (نظير علم نانو و قبل از آن) و ساختارهاي تميزتر، اجازه ساخت چيپها با ترانزيستورهاي بيشتر و بازدهي كافي را مي دهد. وسايل طراحي به اندازه كافي بهينه شده اند تا به پايان رساندن اين گونه طرحها را در زمان قابل قبول عملي سازند. بازدهي انرژي بيشتر CMOS با PMOS و NMOS جايگزين گرديد تا از افزايش زياد در توان جلوگيري شود.
در 1986 اولين چيپ RAM يك مگابايتي معرفي گرديد كه شامل بيشتر از يك ميليون ترانزيستور بود. چيپ هاي ميكروپروسسور از ركورد ميليوني ترانزيستور در 1989 و بيليون ترانزيستور را در 2005 نيز گذشتند. اين روند به طور صعودي افزايش مي يابد با چيپ هائي كه در سال 2007 شامل دهها بيليون ترانزيستور حافظه هستند.
VLSI conferences
 ISSCC – IEEE International Solid-State Circuits Conference
CICC – IEEE Custom Integrated Circuit Conference
ISCAS – IEEE International Symposium on Circuits and Systems
VLSI – IEEE International Conference on VLSI Design
DAC – Design Automation Conference
ICCAD – International Conference on Computer-Aided Design
ESSCIRC – European Solid-State Circuits Conference
ISLPED – International Symposium on Low Power Electronics and Design
ISPD – International Symposium on Physical Design
ISQED – International Symposium on Quality Electronic Design
DATE – Design Automation and Test in Europe
ICCD – International Conference on Computer Design
IEDM – IEEE International Electron Devices Meeting
GLSVLSI – IEEE Great Lakes Symposium on VLSI
ASP-DAC – Asia and South Pacific Design Automation Conference
MWSCAS – IEEE Midwest Symposium on Circuits and Systems
ICSVLSI – IEEE Computer Society Annual Symposium on VLSI
IEEE Symposia on VLSI Circuits and Technology
VLSI journals
ED – IEEE Transactions on Electron Devices
EDL – IEEE Electron Device Letters
CAD – IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, IEEE web site for this journal
JSSC – IEEE Journal of Solid-State Circuits
VLSI – IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems
CAS II – IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Analog and Digital Signal Processing
SM – IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing
SSE – Solid-State Electronics
SST – Solid-State Technology
TCAD – Journal of Technology Computer-Aided Design
ULSI, WSI, SOC
براي بازتاب رشد بيشتر در پيچيدگي، عبارت (ULSI(5 بيان شد كه براي چيپ هائي با پيچيدگي بيشتر از يك ميليون ترانزيستور پيشنهاد شده است. به هر حال هيچ تفاوت آن چناني بين VLSI و ULSI وجود ندارد. از اين رو به طور عادي در متون تخصصي عبارت "VLSI" ، عبارت ULSI را نيز مي پوشاند و "ULSI" فقط براي مواقعي نگه داشته مي شود كه نياز به تاكيد در پيچيدگي چيپ است، مثلا در خريد و فروش.
نهايت تكنيك كوچك سازي (WSI(6 است. تلاش ها براي تجاري شدن اين گام از دهه 1980 به شكست بر مي خورد كه اكثراً به دليل مسائل و مشكلات " قابليت ساخت بدون نقص" است و به نظر نمي رسد كه از اولويت هاي صنايع باشد.
پيشرفتها در ساختن نيمه هاديها موجب حمله ديگري به پيچيدگي IC شد كه طرح (SOC(7 نام دارد. در اين روش اجزاء به طور سنتي به صورت چيپهاي جداگانه ساخته مي شوند كه با هادي بر روي بردهاي مداري به يكديگر متصل مي شوند. در اين روش اجزاء بر روي يك چيپ يكسان قرار گرفته اند كه شامل حافظه، ميكرو پروسسور(ها)، واسطه هاي خارجي، كنترلرهاي منطقي ورودي/خروجي، مبدلهاي ديتا و ساير اجزاء هستند كه با تركيب يكديگر تمام سيستم الكترونيكي را مي سازند.
1: Small-Scale Integration
2: Medium-Scale Integration
3: Large-Scale Integration
4: Very Large-Scale Integration
5: Ultra-Large Scale Integration
6: wafer-scale integration
7: System-on-Chip
[1],[2],[3],[4] | 
Pspice Shematic
